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产品详情
硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃)的混合气体在 半导体制造、光伏产业和化学气相沉积(CVD) 等领域具有关键应用,主要用于 氮化硅(Si₃N₄)薄膜沉积。以下是详细解析:
氮化硅(Si₃N₄)薄膜沉积
反应式:
用途:
钝化层(防氧化、防污染)
绝缘层(集成电路中的介质层)
抗反射涂层(太阳能电池)
低介电常数(Low-k)薄膜
用于先进制程芯片(如7nm以下节点)。
用于 GaN(氮化镓)外延生长 的缓冲层。
增强玻璃的硬度与耐腐蚀性。
| 应用 | SiH₄:NH₃比例 | 沉积温度 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 标准Si₃N₄ CVD | 1:3 ~ 1:10 | 700~900°C | 高温沉积,致密薄膜 |
| PECVD(等离子体增强) | 1:5 ~ 1:20 | 200~400°C | 低温工艺,适合敏感衬底 |
| Low-k薄膜 | 1:10 ~ 1:30 | 300~500°C | 需添加He或N₂稀释 |
| 性质 | 说明 |
|---|---|
| 易燃易爆 | 空气中自燃(爆炸极限1.37%~100%),需用惰性气体(如N₂)稀释。 |
| 毒性 | 吸入有害,遇水生成SiO₂和H₂(可能引发肺水肿)。 |
| 储存要求 | 钢瓶需防泄漏,避免与氧化剂接触。 |
| 性质 | 说明 |
|---|---|
| 腐蚀性 | 遇水形成氨水,腐蚀铜、锌等金属。 |
| 刺激性气味 | 低浓度即可察觉(>5 ppm),高浓度(>300 ppm)致命。 |
| 反应性 | 与SiH₄在高温或等离子体下剧烈反应。 |
检测设备:安装SiH₄和NH₃传感器(SiH₄<0.5 ppm,NH₃<25 ppm)。
应急处理:泄漏时用氮气冲洗,禁止用水(SiH₄遇水爆炸)。
管道材料:不锈钢(SS316L),避免铜或橡胶(NH₃腐蚀)。
稀释气体:通常用高纯N₂或He降低SiH₄浓度至<5%。
呼吸防护:全面罩+供气系统(NH₃>30 ppm时必需)。
防火措施:防爆电器,禁用明火。
| 混合气体 | 主要反应 | 应用 | 优缺点 |
|---|---|---|---|
| SiH₄ + NH₃ | 生成Si₃N₄ | 半导体钝化层 | 低温PECVD可行,但SiH₄危险 |
| SiH₂Cl₂ + NH₃ | 生成Si₃N₄ + HCl | 高温CVD | 更安全,但需处理腐蚀性HCl |
| TEOS + O₂ | 生成SiO₂ | 氧化层沉积 | 无毒,但介电常数较高 |
可以(如SiCl₄ + NH₃),但需更高温度(>1000°C)且副产物HCl腐蚀设备。
稀释至<2%(用N₂或He),并采用 远程等离子体源 减少直接暴露。
尾气处理:通过酸性洗涤塔(如H₂SO₄)中和NH₃。
核心价值:SiH₄+NH₃是半导体行业沉积Si₃N₄的关键气体组合。
安全重点:SiH₄自燃性、NH₃腐蚀性,需严格管控泄漏与浓度。
替代方案:SiH₂Cl₂+NH₃或ALD工艺(安全性更高但成本增加)。
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